Intel produce primele procesoare cu tranzistori de 45 de nanometri

Intel Corporation a anuntat unul dintre cele mai mari progrese realizate vreodata in industria tranzistorilor: doua materiale complet noi cu care va construi componentele izolatoare ale tranzistorilor sai de 45 de nanometri. De asemenea, Intel a anuntat si producerea a cinci prototipuri functionale de produse - primele dintre cele 15 tipuri de procesoare pe 45 de nanometri pe care Intel intentioneaza sa le lanseze pe piata.
Acest progres va permite companiei sa ofere procesoare cu viteze record pentru desktop-uri, notebook-uri si servere, reducand totodata pierderile de electricitate din tranzistori, care ar putea afecta negativ designul, dimensiunile, consumul de energie, silentiozitatea si costurile aferente.
Prin dezvoltarea primului procesor functional fabricat pe 45 de nanometri, cu nume de cod Penryn, Intel considera ca si-a extins avansul de mai bine de un an pe care il are comparativ cu restul industriei semiconductorilor. Primele versiuni ale procesoarelor, destinate pentru cinci segmente diferite de piata, sunt compatibile cu sistemele de operare Windows* Vista*, Mac OS X*, Windows* XP si Linux, dar si cu alte aplicatii. Intel isi mentine intentia de a incepe productia pe scara larga de procesoare pe 45 de nanometri in a doua jumatate a acestui an.
Intel foloseste o combinatie de materiale, ce reduce substantial pierderile energetice si creste performanta tehnologiei de fabricare pe 45 de nanometri. Intel foloseste pentru componenta dielectrica a tranzistorului un nou material, cu o proprietate numita high-k, iar pentru componenta electrod a tranzistorului foloseste o noua combinatie de materiale metalice.
"Utilizarea proprietatii high-k si a materialelor metalice marcheaza cea mai importanta evolutie in industria siliciului, de la introducerea tranzistorilor cu componente pe baza de polisilicon, la sfarsitul anilor '60," a spus Gordon Moore, cofondatorul Intel. "Implementarea materialelor high-k si a tranzistorilor cu intrerupator metalic pentru tehnologia noastra de fabricatie pe 45 de nanometri ne vor ajuta sa lansam pe piata produse multi-core mai rapide si mai eficiente din punct de vedere energetic, care sa dezvolte seriile de procesoare de succes Intel Core 2 Duo si Xeon si sa asigure continuitatea Legii lui Moore in urmatorul deceniu", a afirmat Mark Bohr, Intel Senior Fellow.
Cu doar zece ani in urma, tehnologia de varf a momentului folosea tehnica de fabricare pe 250 de nanometri, ceea ce insemna ca tranzistorii erau de aproape cinci ori si jumatate mai mari si ocupau o suprafata de treizeci de ori mai mare decat cei produsi cu tehnologia anuntata astazi de Intel.
Pe masura ce, potrivit Legii lui Moore, numarul tranzistorilor de pe un cip practic se dubleaza la fiecare doi ani, Intel poate sa inoveze permanent, adaugand noi functii si unitati de procesare pentru cresterea performantei, scaderea costurilor de fabricatie si a costurilor per tranzistor. Pentru a mentine acest ritm al inovarii, dimensiunile tranzistorilor trebuie reduse constant. Cu toate acestea, folosind materialele actuale, miniaturizarea tranzistorilor este fundamental limitata de probleme precum supraincalzirea si consumul energetic ridicat, dat fiind ca dimensiunile folosite ating niveluri atomice. Prin urmare, folosirea de noi materiale este imperativ necesara pentru economia erei informationale si pentru viitorul Legii lui Moore.
In cadrul tehnologiei anterioare de fabricatie, pe 65 de nanometri, Intel a redus cu succes dimensiunile componentei dielectrice pe baza de dioxid de siliciu, ajungand pana la o grosime de doar 1,2 nanometri - echivalentul a cinci straturi atomice.
Miniaturizarea permanenta a condus la pierderi de energie si supraincalzire.
Pentru a rezolva aceasta situatie critica, pe de o parte, Intel a inlocuit, in componenta dielectrica, dioxidul de siliciu cu un material high-k mai gros, bazat pe hafniu, reducand astfel pierderile de curent de mai mult de zece ori.
Pe de alta parte, Intel a dezvoltat noi materiale pentru intrerupatorul metalic. Solutia aplicata de Intel ofera o crestere de 20% a performantei si o eficienta energetica de cinci ori mai mare a tranzistorilor.
Tehnologia de fabricatie Intel pe 45 de nanometri face ca densitatea tranzistorilor sa fie de doua ori mai mare decat in cazul precedentei generatii, ceea ce permite companiei fie sa mareasca numarul total de tranzistori, fie sa micsoreze procesoarele.

---

Despre autor: