Grupul de cercetatori, condus de Ritesh Agarwal, a realizat o varianta a memoriei cu schimbare de faza (Phase Change Memory - PCM sau PRAM), bazata pe nanofire autoasamblate, realizate dintr-un material numit “germanium antimony telluride”, capabil sa treaca foarte repede de la starea amorfa la cea cristalina, un factor esential pentru acest tip de memorie. Spre deosebire de alte tehnologii de memorii PRAM, tehnologia dezvoltata la Universitatea din Pennsylvania se bazeaza pe aceste nanofire, cu un diametru de aproximativ 100 de atomi, realizate printr-un proces de autoasamblare. Prin acest proces, diferiti reactanti chimici se cristalizeaza la temperaturi joase in prezenta unor nanocatalizatori metalici, formand in mod spontan nanofire de 30-50 nm diametru si 10 micrometri lungime. Primele teste efectuate cu acest tip de memorie au rezultat in timpi de scriere, stergere si citire de date de ordinul a 50 nanosecunde, adica de aproximativ 1.000 de ori mai rapide decat memoriile flash tipice, consumand in acelasi timp si foarte putina putere pentru codificarea datelor (aproximativ 0,7 mW per bit).